蛇年記憶體市場展望：第一季掙扎，第二季緩慢復甦
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你可能想知道
- 是什麼導致記憶體市場的緩慢復甦？
- 公司如何適應供需變化？
主題
記憶體市場，特別是 DRAM 和 NAND，自去年下半年起面臨意外挑戰。雖然人工智慧驅動的雲端應用需求持續強勁，但整體需求未達預期。這導致客戶的庫存水平增加，造成供應過剩和價格下跌。
進入今年，第一季度延續傳統的低季模式。高庫存水平導致需求和價格持續下降。市場分析師預測第二季度將逐漸復甦。
在 DRAM 領域，目前唯一出現短缺的部分是高速帶寬記憶體 (HBM)。相反，其他類型如 DDR5、DDR4 和 DDR3 正在與供應過剩和顯著的價格降低壓力作鬥爭。值得注意的是，為應對美國政府變化的提前備貨進一步抑制了相比上季的需求。持續的價格下降引發了買家的觀望態度。
供應側動態也反映出關鍵變化。業界認為中國合肥長鑫推出的大批量生產 DDR5 是一個重要變數。他們目前的出貨主要支持當地智慧手機品牌，並預計在年中推出大規模的 LPDDR5，這可能會對全球原有三大製造商施加價格壓力，影響甚至擴大到臺灣的公司。
研究機構預測，第一季度傳統 DRAM 價格將顯著下降，預估平均下降幅度在 8% 至 13% 之間。如果包括 HBM，預計價格降幅在 0% 至 5% 之間。具體來說，PC DRAM 價格預計下降 8-13%，伺服器 DRAM 為 5-10%，行動 DRAM 為 3-13%，圖形 DRAM 為 5-10%，消費性 DRAM 為 3-15%。
至於 NAND 市場，自去年後期已有顯著挑戰，而無逆轉跡象。因此，持份者對今年上半年維持保守態度。值得注意的是，Micron Technology 和 SK 海力士已經開始減產，而三星及鎧俠等公司採取類似策略緩解供應過剩問題。
整體來看，在 DRAM 和 NAND 生產商中，第二季度讚有稍微樂觀的展望，受中國經濟復甦和全球政策刺激影響。預期消費性電子產品需求會略有回暖，可能在第二季度末趨穩市場趨勢和價格，為全年需求總額和收入增長的反彈鋪平道路。
關鍵洞察表
| 方面 | 描述 |
|---|---|
| DRAM 市場壓力 | 除了 HBM 部分外，供應過剩導致價格大幅下降。 |
| NAND 生產減少 | 像 Micron 和 SK 海力士這樣的大公司正在減少生產以平衡供應。 |
後續...
展望未來，新興技術的整合和全球化趨勢具有極大潛力可帶來業界動態的顯著變化。優先考慮彈性的生產策略和創新的應用可能是公司面對記憶體市場未來挑戰的重要關鍵。